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备考总结——感谢CD[750(M:51,V:40)]

[日期:2005-05-24] 来源:ChaseDream论坛 作者:luciali [字体: ]

考完试已经两天了,总算静下心来了。先介绍一下我的大概情况吧!我今年研二了,会计专业的,以前考过GRE(2250),TOEFL(627,TWE 4.0)。毕业以后我打算先干几年,然后出去念MBA,所以趁着这次毕业前还有时间,把GMAT考了。GMAT这几部分里面,我的强项是数学和逻辑,改错和阅读比较弱。写作更弱,看我的TWE就能看出来。我是从今年3月开始准备的,到5月20号考完,差不多准备了3个月。最后考了750(M:51,V:40)

备考篇

从我收集齐了所有的资料(我当时还不知道CD,全部是在mba8上下载的,要是早知道CD就好了!),我做的第一件事情是用PP3模考了一次,当时是560,我连DS是什么东西都没搞清楚!于是我的第一天复习就用在了熟悉各部分考试内容上。下面按时间表讲述一下备考的经历(起止日期记得不是很清楚,大概吧)。

3月2日-22日:

前20天我把新东方的补充教材做了一遍,每天改错逻辑各一个section,阅读3篇,数学记不得每天多少了,总之20天做完了,就当熟悉单词了。记得当时改错要错一半,逻辑错1/3,阅读一般6-7个题做15分钟,错2个吧。差不多三个星期做完,我也没有怎么总结,就当熟悉题型提高阅读了。做完以后,我用PP3又模考了一遍,当时是650。

3月23日-4月2日:

前十天我开始做OG,其中逻辑和改错还是都做了,并且改错用秒表按每道题掐时间,发现超过2分钟的错误率很高!我一般20题一组,用表连续掐,错在1/3多吧。逻辑也是20题一组,这时候大概1/4了。阅读因为跟XDF的重复率很高,我只是吧没有重复的挑出来做了做,因为没几天就做完了,我只好把以前做得都重复看了看。OG的数学我也都做了。我重点看了改错和逻辑的解释。慢慢对改错有了感觉。我3月底本打算报4月底的考试,没报上,马上报了5月20日的,于是突然多了一个月的时间。

4月3日-23日

我开始做LSAT的逻辑和GRE的阅读,我做了LSAT第二册的10多个section,一共20多套,一天一套。GRE照着网上说得做了90以后的,一天4篇。这两项我都不管正确率,错得很惨,主要是为了保持阅读量,保持做题的感觉,做完我就是大概看看答案,也不深究。这个阶段对我提高最大的便是语法,我先看了一遍刘振民的书,然后看了一遍白勇的书,每一个语法点都认真看,凡是有OG上题的讲解的,回去找原题,结合中英文的讲解吃透。这两本书每本都是300多页吧,我一天大概看30多页。并且我把书上的解释都用不同颜色批注在上面。做完以后,我又用PP3模考了一遍,780(重题太多了)。

4月24日-5月10日

我开始做GWD和天山,除了GWD2和24,其他的都是一天一套,每套认真掐时间做,当时我才知道有CD,我太土了,早上来就好了,做错的题认真上来看解释。当时Verbal一套错8-12个,数学2个以内吧,基本按时完成。

5月10-15日

我放下了GWD和天山,把OG上的改错、逻辑、阅读重新看了一遍,把以前的错误啊,笔记啊重新看了一遍。觉得慢慢思路清楚了。用Kaplan模考了三套,成绩很差,630,550,580,我死活就觉得不对路。所以也没太在意。

5月16日-19日

我照着携隐mm的分类总结,把改错和逻辑的GWD和天山看了一遍,改错看的比较细,每道题都看了网上的讨论,总结出了争议题,以备我自己考试的时候能够快速的选出争议项。逻辑看得比较草,只要我看到选项有印象就可以。阅读没时间了,所以没细看。

19日一天,我上午最后模考了一遍PP3,780,然后从下午开始看了大半天的机井啊!重点是数学和阅读,数学基本上每道题都动手算了一遍(当然去年4、5月和今年4月的我以前零零散散都做过了,这天做的是今年5月的)。这里重点说一下我看阅读机井的方法,我重点看那些比较全的,重现率比较高的题,凡是涉及GWD和天山的,我都回去找原题重新看了一遍,那些只有一句话的,因为没时间,我都没看,我一气看了4个月的啊!逻辑和改错草草看过,还好机井不多,逻辑我考试的时候竟然还遇到两个。

下面分部分说说我每部分的感想吧!

数学

虽然我的数学一直不弱,但对全对也没有十足地把握,人总会粗心的,这个最好的办法就是勤练,比起语法什么的,这个花不了多少时间的,就当是每天的调剂好了,等你把XDF,OG一路做下来,你会发现根本不用背什么数学词汇的,自然而然的都记住了,而且最好几十道题几十道题的做,从一开始就训练自己少错题。我觉得这对我最后能拿满分很重要。

改错

我语法一向不好,所以我强烈推荐除了仔细看OG的解释外,手头能有一本系统的语法书,帮助我尽快地适应SC的解题思路。这里我推荐白勇的那本书,我一直记得上面的一句话,做改错,要练就“庖丁解牛”一般的技艺。改错我做到后期,重要的不是这道题为什么对,而是其他选项为什么错,每个错误选项都要找出尽可能多的错误,这样才能保证在考试的时候迅速把干扰项排除。而且改错的语法点一定要自己勤总结,前人的语法总结点很多,但只有自己总结的才能记住,我考前最后一天就把自己总结得仔仔细细看了一遍,有了更系统地认识。考试的时候面对错误也变得敏感了很多。

逻辑和阅读

这里我之所以一起说,是因为我从来都认为大多数的逻辑和阅读题,只要看懂了题目和文章,基本上是不会选错的,当然个别的难题除外。我一向觉得,所谓的解题方法,都是进行辅助的,如果你准备时间充足,就应该想办法提高自己的阅读速度和理解能力,这才是提高这两部分的上上策,而在我看来,只要每天坚持做,2-3个月足够有飞跃;如果你准备时间不足,那么应该看看前人们总结的方法,走捷径。

写作

这部分因为还没有拿到成绩,我想我没有发言权。大概说说情况,我最开始把所有的题目过了一遍,结合孙远的书上的提纲看的。看完了我对Argument比较有感觉,对Issue总觉得没话说,后来模考啦,GWD啦没时间,写作我就一直拖着没写。最后关头,在那个AWA上练了几篇Argument,Issue从来就没写过。考前准备了模版,Issue就是个大框架,Argument除了框架,我按照常见的逻辑错误,每种准备了句型,写了一小段。但说实话,直到考试前,我辛辛苦苦准备的模板也背不下来。每种逻辑错误我就记住了常用的说法,后面那些车轱辘话根本就背不下来。考前我看了看5月份的AWA机井,每道题想了想大概的说法。Argument我不怕,但Issue一直很怕没话说。还好考试的时候Issue是机井,所以顺利写了好多。所以,我觉得写作一定要早点开始练,勤写,像我这样,最后只能撞大运了。另外Argument比较好准备,跟逻辑一起准备了就行,我觉得Issue大家应该多花一些时间,这部分比较难提高的。另外就是打字要快,我考试的时候因为打字有速度,所以在有话说的前提下,写了很多,等成绩出来了再跟大家分享。

实战篇

具体过程我就不说了,我在机井板上写得很详细了。我这里就捡重点地说几句。第一,考试的时候一定要相信自己,不要受那些出题顺序,题型的干扰。我前20题遇到了3篇阅读,最后照样Verbal 40。第二,虽然复习了这么久,但我复习的还不是很扎实,所以我想强调一下机经的重要性。考试的时候的紧张是我考前没有想到的,戴上耳机的时候,听到的就是咚咚的心跳。所以如果遇到机井的话,可以很好的稳定军心。尤其是当你后面pace没有掌握好,准备放题的时候,遇到一两道机井的时候,好处我就不用多说了。第三,虽然有机井,还是要注意pace。我运气特别好,阅读4篇遇到了3篇机井,满以为会省时间,结果做的很仔细,很慢,尤其是改错和逻辑,当时很不果断,总是在两个选项之间犹豫。反而做到后面差点时间不够了,幸好我后半程及时加速,才赶了回来。

感谢篇

考过了GRE,GMAT,TOEFL,其实我觉得这些就是一种人生经历,当你走过去的时候,会发现比这些更重要的事情还有很多很多。这里真的要谢谢CD上的兄弟姐妹,CD上详尽的资料,xdjm耐心的解答,陪伴我度过了最后一个月的难熬时光。也要谢谢我的父母,给我做了后勤工作,连最后上考场的巧克力都给我准备好了。更要谢谢我的gg,经常忍受我因为考试压力大而找茬吵架,安慰我,鼓励我,最后还陪我一起上考场。

资料篇

CD上的资料已经很详细了,这里上传几个我自己总结的。

一、GWD和天山的分类总结

携隐mm的已经很详细了,但当时她的只有GWD的,我准备考试的时候自己把天山的也贴上了,当然没有mm弄得那么好看了,大家凑合看吧。如果已经有了新版本,就麻烦斑竹帮我删了吧。

https://forum.chasedream.com/viewFile.asp?Boardid=34&ID=38359

二、GWD和天山的题目分类

我做GWD和天山的时候,苦于对答案的时候不知道自己每种类型的题错了多少,每套题有多少重复的,所以就把每套题的题型,重复题的处处都作了汇总,可能会方便大家的查找吧

https://forum.chasedream.com/viewFile.asp?Boardid=34&ID=38360

三、SC的语法点总结

我为自己临考前一天准备的,参考了很多精华区的大牛的,还有白勇、石林的一些笔记。供大家参考吧。

https://forum.chasedream.com/viewFile.asp?Boardid=34&ID=38361

密码都是wo shi zhong guo ren 的汉字

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原文引自:
https://forum.chasedream.com/dispbbs.asp?boardid=34&id=112002

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https://forum.chasedream.com/list.asp?boardid=34&page=1

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